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CMOS的推挽输出：输出高电平时N管截止，P管导通;输出低电平时N管导通，P管截止。输出电阻小，因此驱动能力强。CMOS门的漏极路式：去掉P管，输出端可以直接接在一起实现线与功能。如果用CMOS管直接接在一起，那么当一个输出高电平，一个输出低电平时，P管和N管同时导通，电流很大，可能烧毁管子。单一的管子导通，只是沟道的导通，电流小，如果两个管子都导通，则形成电流回路，电流大。输入输出高阻：在P1和N1管的漏极再加一个P2管和N2管，，当要配置成高阻时，使得P2和N2管都不导通，从而实现高阻状态。主要用于存储程序中的变量。在单芯片单片机中（*1），常常用SRAM作为内部RAM。SRAM允许高速访问，内部结构太复杂，很难实现高密度集成，不适合用作大容量内存。除SRAM外，DRAM也是常见的RAM。DRAM的结构比较容易实现高密度集成，比SRAM的容量大。将高速逻辑电路和DRAM于同一个晶片上较为困难，一般在单芯片单片机中很少使用，基本上都是用作外围电路。（*1）单芯片单片机是指：将CPU，ROM，RAM，振荡电路，定时器和串行I/F等集成于一个LSI的微器。TN-S接地系统抵御三相不平衡的能力较差。TN-C-S系统TN-C-S系统TN-C-S系统中前部分可以抵御三相不平衡，后半部分不能抵御三相不平衡。TN-C-S系统中PE线没有电流，但如果三相不平衡，PE线上会有电压，因此PE线要重复接地。TN-C-S系统在建筑物当中是如何具体使用呢？摘自王厚余《建筑物电气装置600问》那能不能自己直接地线直接外壳吗？如果零线直接引入到用电设备的中性线接入点N中，用电设备外壳直接接地，即保护接地，这就是所谓的TT系统。CP1W扩展单元如CPU单元自带输入占用0通道和1通道，输出占用100通道和101通道，以后连接的CP1W的扩展单元：其输入从2通道始依次往后分配， 多分配到16通道输出从102通道始依次往后分配， 多分配到116通道CP1W的基本I/O扩展单元，根据输入输出的点数不同，其所分配的输入输出通道数也不同，位分配原则与CPU单元输入输出的位分配原则相同，12点输入、8点输出的扩展单元，输入输出各占用1个通道：其输入位占用所分配通道的位00~位11，不使用的位12~位15将始终被，且不可用作内部辅助工作位输出位占用所分配通道的位00~位07，不使用的位08~位15可用作内部辅助工作位对于模拟量及温度传感器等扩展单元，其输入输出通道的地址，根据其所占用的通道数来进行分配，CP1W-MAD11，分配了2个输入通道和1个输出通道。并且电流信号的传输距离要比电压信号传输的远还不会产生信号的衰减。那么采用20mA是应为防爆要求，因为20mA的电流信号通断引起的火花势能不足以引燃可燃气体的点，采用4mA是因为可以检测断线点。通常是长距离小于100米的采用电流信号传输，在控制室的仪表之间的用0-5V电压信号传输。在PLC中模拟量和数字量还有对应关系我这边就以西门子plc为例：还有我们在现场通过变送器去把现场的信号采集给PLC，这需要我们正确接线。